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2025

9-8

環境掃描鎢燈絲電鏡是一種在氣體環境下進行掃描電子顯微鏡觀察的技術。與傳統的掃描電子顯微鏡（SEM）不同，它能夠在相對較低的真空或環境氣體下觀察生物樣品，因此特別適用于生物樣品、濕潤樣品以及低真空條件下的研究。通常使用鎢燈絲作為電子槍源，它能夠提供高亮度的電子束，并且具有較好的穩定性和較長的使用壽命，廣泛應用于生物學、材料學等多個領域。環境掃描鎢燈絲電鏡特別適用于生物樣品的觀察，其優勢主要體現在以下幾個方面：1、保留樣品的自然狀態最大的優勢之一是能夠在接近自然的濕度和溫度條件下...

2025

9-5

STEM透射電鏡在半導體領域的應用

透射電子顯微鏡和掃描透射電子顯微鏡是現代電子顯微學中非常重要的兩種技術。STEM透射電鏡結合了掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡（TEM）的優點，在半導體領域的應用尤為廣泛，特別是在半導體材料、器件結構以及缺陷分析等方面，具有重要的意義。以下是STEM透射電鏡在半導體領域的幾項關鍵應用。一、半導體材料的微觀結構表征半導體材料的微觀結構對其性能至關重要。在半導體制造過程中，材料的晶體質量、晶界、缺陷等都直接影響最終產品的性能。它能夠提供原子級別的分辨率，是研究半導體材料微觀結構的理...

2025

8-21

掃描透射電子顯微鏡（STEM）的原理與優勢

掃描透射電子顯微鏡（STEM）是一種融合透射電子顯微鏡（TEM）與掃描電子顯微鏡（SEM）技術的分析工具，其核心原理基于高能電子束與樣品的相互作用及逐點掃描成像機制。工作原理：STEM通過場發射電子槍產生高度聚焦的電子束，經電磁透鏡系統會聚成原子尺度的電子探針。在掃描線圈控制下，電子探針在樣品表面進行逐點光柵掃描。當電子束穿透樣品時，與原子發生彈性/非彈性散射，透射電子或散射電子被樣品下方的探測器接收。例如，環形暗場（ADF）探測器收集高角度散射電子，其信號強度與原子序數平方...

2025

8-16

高分辨率掃描電鏡在生物樣品分析中的應用

高分辨率掃描電鏡在生物樣品分析中具有極為重要的應用價值。它通過掃描電子束與樣品表面相互作用，提供高分辨率的表面形貌圖像，并能夠獲取樣品的組成、結構及其功能特性。特別是在生物學、醫學以及生命科學領域，被廣泛應用于觀察細胞、組織以及微觀生物結構的細節。本文將討論高分辨率掃描電鏡在生物樣品分析中的應用。一、細胞形態和表面結構的觀察它能夠詳細觀察到細胞的形態、表面結構以及細胞間的相互作用。例如，在觀察細胞表面時，能夠清晰地揭示細胞膜的形態、細胞突起、微絨毛等微觀結構。此外，還可以用于...

2025

8-13

環境真空掃描電鏡的原理與技術優勢

環境真空掃描電鏡是一種結合掃描電子顯微鏡與環境控制技術的高分辨率顯微技術，能夠在較寬的環境條件下進行樣品的觀察和分析，特別適用于在傳統掃描電子顯微鏡無法有效操作的樣品，如水分較多、有氣體揮發或是需要特定氣氛的樣品。一、工作原理環境真空掃描電鏡的核心原理與傳統SEM類似，都是通過掃描電子束與樣品表面相互作用產生信號，并通過這些信號獲取圖像。然而，最大的特點是在掃描過程中，樣品并不需要像傳統SEM一樣在高真空條件下操作，而是可以在一定的氣壓范圍內進行分析。為了實現這一點，它采用了...

2025

8-10

透射掃描電子顯微鏡在納米科學中的應用

透射掃描電子顯微鏡是一種結合了透射電子顯微鏡和掃描電子顯微鏡優點的高分辨率顯微技術。在納米科學研究中，憑借其超高的分辨率和能夠對樣品進行多層次、多角度分析的能力，成為了重要的實驗工具。本文將探討透射掃描電子顯微鏡在納米科學中的應用。一、納米材料的結構表征納米材料在納米科技中具有重要的應用，如納米管、納米顆粒、量子點等。它能夠以很高的分辨率觀察到這些材料的結構、尺寸、形態和排列。通過使用，可以詳細了解納米材料的形貌特征、缺陷、晶格結構等，從而為其設計與優化提供基礎數據。例如，可...

2025

8-7

場發射電鏡的基本原理與技術特點

場發射電鏡是一種應用于高分辨率成像的電子顯微鏡。與傳統的掃描電子顯微鏡（SEM）不同，它使用場發射源作為電子束的發射源，能夠提供比熱發射電子槍更高的亮度和更小的電子束斑。一、基本原理場發射電鏡的工作原理基于場發射效應。在高電場的作用下，電子從金屬表面被“拉出”，并加速形成電子束。電子束在電鏡中經過透鏡系統的聚焦后，照射到樣品表面，掃描樣品并與其相互作用，產生二次電子、背散射電子和X射線等信號，這些信號被探測器接收并轉化為圖像。其核心優勢在于其電子源——場發射源，通常是冷場發射...

2025

7-21

便攜式合金分析儀的工作原理：XRF與LIBS技術對比

便攜式合金分析儀的核心技術以X射線熒光光譜（XRF）與激光誘導擊穿光譜（LIBS）為主，二者在原理、應用場景及性能上存在顯著差異。XRF技術基于元素特征熒光效應，通過X射線管發射高能X射線激發樣品原子內層電子，外層電子躍遷填補空位時釋放特定能量的二次X射線（熒光）。探測器捕獲熒光能量后，與內置數據庫比對實現元素定性定量分析。該技術優勢在于無損檢測，無需樣品預處理，檢測范圍覆蓋鈦、釩等21種元素，精度達0.03%-0.5%。例如，奧林巴斯Axon系列采用硅漂移探測器（SDD）與...

2025

7-16

FIB雙束電鏡在集成電路失效分析中的應用

FIB雙束電鏡是一種集成了聚焦離子束（FIB）和掃描電子顯微鏡（SEM）技術的復合型儀器。該儀器在集成電路（IC）失效分析中具有重要的應用價值，能夠對電子元件內部的結構和失效機理進行深入的研究與分析。集成電路失效分析的核心任務是確定電路或芯片失效的根本原因，分析過程通常需要對芯片內部結構進行深入剖析。FIB雙束電鏡在這一過程中提供了許多重要的技術支持，具體應用如下：1、電路故障定位與剖析集成電路的故障通常由微小的物理損傷、連接斷裂、污染或過熱等原因引起。它能夠通過聚焦離子束對...

2025

7-13

sem掃描電鏡在微觀結構分析中的重要性

sem掃描電鏡是一種利用電子束掃描樣品表面，通過探測二次電子或反射電子的信號，生成高分辨率圖像的電子顯微鏡。與傳統的光學顯微鏡相比，它具有更高的放大倍率、更強的深度景深和更廣泛的應用領域，尤其在微觀結構分析中展現出巨大的優勢。sem掃描電鏡在微觀結構分析中的重要性，主要體現在以下幾個方面：1、高分辨率與細節呈現最大的優勢之一是其很高的分辨率，通常能夠達到納米級別，遠高于傳統光學顯微鏡的分辨率。通過掃描電子束，能夠呈現出樣品表面最細微的結構細節，例如微小的裂紋、孔隙、表面形貌、...